LED 外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
Led模组的产品特性：
特性1：高能效 高流明输出，极低光衰。
特性2：紫外线及红外线辐射几乎为零。
特性3：防尘防雨，防护等级达到IP66。
特性4：大视角发光，满足不同视距及正视和侧视时发光强度,需一致的视觉要求。
LED模组应用范围
外发光标识 、立体字，笔划繁复的面板发光字 、灯箱等。
希望以上的讲解，对您有所帮助，感谢您的支持。
在传统LED大屏幕显示技术和产品的基础上,LED显示应用产品在行业市场中的份额逐年增加。LED上游产业发展对显示应用产业的发展促进作用明显。LED产业链上下游之间实现良性互动,新产品、新技术推广应用迅速,基于LED芯片材料、驱动IC、控制等技术的发展,行业内许多企业在LED综合应用、半导体照明、灯饰亮化工程等方面形成了一定的技术基础和生产工程基础。
发光二极管(LED)上游外延和芯片价格涨价,全球LED大厂晶电,已经向下游封装厂释出涨价的讯息；广光电董事长陈进财证实，已对韩国首尔半导体涨价5%至10%。由于LED厂广泛运用在电视、笔电、照明等产品上，预期终端产品的价格可能也会跟进涨价。 由于零组件缺货,使得电子产品的价格从以往固定跌价变成不跌反涨,LED芯片价格过去每年都是下滑二成,今年却要涨价,此波从二线厂先涨起,包括璨圆、广、新世纪、泰谷等,这些业者在产能爆满下,已悄悄的涨价；而晶电的产能与营收是二线厂的四倍以上,在厂跟进后,整体产业链都会带来价格压力。LED显示产品也不能幸免。或多或少都会受到影响。
有的企业面对涨价的局面，开始从根基改变，进行的技术创新。我国LED显示应用行业在新技术、新产品开发方面一直具有良好的基础。适应LED显示屏应用市场的需求变化,2009年,行业内的许多企业在产品技术开发、和知识产权保护等方面积极开展了工作,许多新技术成果直接用于国庆60典等重点工程,取得了良好的效果。部分企业承担了国家和地方政府的有关科技项目研究,业内大批企业获得高新技术企业资格。
以上信息由专业从事led外延片价格的杰生半导体于2024/5/10 13:15:53发布
转载请注明来源：http://shaoguan.mf1288.com/masjiesheng-2750370944.html
